Semi-conducteurs. Page 177 sur 485. Avtronic

Je suis disponible pour vous renseigner!
09.77.19.62.10

Accueil

Catalogue en ligne - Composants électroniques

Semi-conducteurs

10167 articles disponibles

Accessoires de montage pour transistors

5917

Circuits intégrés divers

193

Circuits logiques série 4000

298

Circuits logiques série 74

529

Diodes

Diodes Haute-tension pour micro-onde

166

Diodes Transils

225

Diodes Zéner

Modules de transmission radio

102

Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

Thyristors

2377

Transistors

141

Triacs et diacs

<<174 175 176 177 178 179 180 >>

10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRFB3206 à IRFBE30 (Page 177 sur 485)

Transistor IRFB3206

8.57€ TTC

108 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 210A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0024 Ohms. Boîtier: TO220FP isolé.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB3207

11.93€ TTC

53 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 75V 170A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0033 Ohms. Boîtier: TO220.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB3207Z

8.34€ TTC

63 En stock

Transistor MOSFET canal N 75V 170A/670Ap 300W 0.0033R (120A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRFB3207ZPBF. Marquage boîtier: FB3207. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO-220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 75V. Id(T:25): 170A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 120A. Id(imp): 670 Ap. Idss (mi

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4019

5.38€ TTC

132 En stock

Transistor MOSFET canal N 150V 17A/51Ap 80W 0.08R (12A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4020

6.33€ TTC

59 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 18A. Référence d'origine constructeur: IRFB4020PBF. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 100W. Résistance Rds: 80 milliOhms. Digital Audio MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -40°C à +175°C.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB4110PBF

11.20€ TTC

68 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 180A/670Ap 370W. Résistance passante RDSon : 0.0037 Ohms (130A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4227

10.42€ TTC

49 En stock

Transistor IRFB4227 N-MOS 200V 65A 330W<0.0197R(46A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 65 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 46 A. Rds (Ohms): 0.0197.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4228

16.18€ TTC

40 En stock

Transistor IRFB4228 N-MOS 150V 83A 330W<0.012R(59A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 83 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.012.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4229

12.04€ TTC

99 En stock

Transistor MOSFET canal N 250V 46A/180Ap 330W 0.038R (33A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRFB4229PbF. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 250V. Id(T:25): 46A. Puissance: 330 W. Id(T:100): 33A. Id(imp): 180 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 1mA. Vgs:

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB42N20D

12.32€ TTC

20 En stock

Transistor IRFB42N20D N-MOS 200V 44A 330W<0.055R(31A). HEXFET Power MOSFET. SMPS. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 31 A

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB42N20DPBF

12.49€ TTC

79 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 97A/390Ap 230W. Résistance passante RDSon : 0.07 Ohms (69A)

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB4310PBF

9.46€ TTC

155 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 130A/550Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.0056 Ohms (92A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB4710

7.95€ TTC

58 En stock

Transistor IRFB4710 N-MOS 100V 75A 200W<0.014R(53A. HEXFET Power MOSFET. High freqvency DC-DC convertes. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 53 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB52N15D

10.14€ TTC

37 En stock

Transistor IRFB52N15D N-MOS 150V 51A 230W<0.032R(36A). HEXFET Power MOSFET. High frequency DC-DC converters. Plasma Display Pa. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFB5615PBF

8.34€ TTC

10 En stock

Transistor MOSFET canal-N 150V 35A/140Ap 144W. Résistance passante RDSon : 0.032 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB9N60A

9.74€ TTC

130 En stock

Transistor IRFB9N60A N-MOS 600V 9.2A 170W 0.75R (5.8A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.8 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFB9N65A

11.20€ TTC

36 En stock

Transistor IRFB9N65A N-MOS 650V 8.5A 167W 0.93R (5.4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.4 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFBC30

3.81€ TTC

102 En stock

Transistor IRFBC30 N-MOS 600V 3.6A 75W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A. Rds (Ohms): 2.2.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFBC30A

5.26€ TTC

47 En stock

Transistor IRFBC30A N-MOS 600V 3.6A 74W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFBC40

4.82€ TTC

50 En stock

Transistor IRFBC40 N-MOS 600V 6.2A 125W<1.2R(3.9A. HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 1.2.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFBE30

5.77€ TTC

112 En stock

Transistor IRFBE30 N-MOS 800V 4.1A 125W <3R(2.6A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.6 A. Rds (Ohms): 3.

Tarifs dégressifs

<<174 175 176 177 178 179 180 >>

Info livraison: recevez plus simplement votre commande, directement remise dans votre boîte aux lettres par votre facteur (avec suivi)!

Nos principaux fabricants
(Semi-conducteurs):

STMicroelectronic

Sanyo

Philips Semiconductors

Texas Instruments

Matsushita Panasonic

Semi-conducteurs

Accessoires de montage pour transistors

Circuits intégrés divers

Circuits logiques série 4000

Circuits logiques série 74

Diodes

Diodes Haute-tension pour micro-onde

Diodes Transils

Diodes Zéner

Modules de transmission radio

Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

Thyristors

Transistors

Triacs et diacs

Transistor IRFB3206

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 210A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0024 Ohms. Boîtier: TO220FP isolé.

Transistor IRFB3207

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 75V 170A. Puissance: 300W. Résistance Rds: 0.0033 Ohms. Boîtier: TO220.

Transistor IRFB3207Z

Transistor IRFB4019

Transistor MOSFET canal N 150V 17A/51Ap 80W 0.08R (12A)

Transistor IRFB4020

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 18A. Référence d'origine constructeur: IRFB4020PBF. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 100W. Résistance Rds: 80 milliOhms. Digital Audio MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -40°C à +175°C.

Transistor MOSFET canal-N IRFB4110PBF

Transistor MOSFET canal-N 100V 180A/670Ap 370W. Résistance passante RDSon : 0.0037 Ohms (130A)

Transistor IRFB4227

Transistor IRFB4227 N-MOS 200V 65A 330W<0.0197R(46A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 65 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 46 A. Rds (Ohms): 0.0197.

Transistor IRFB4228

Transistor IRFB4228 N-MOS 150V 83A 330W<0.012R(59A). HEXFET Power MOSFET. PDP Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 83 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.012.

Transistor IRFB4229

Transistor IRFB42N20D

Transistor IRFB42N20D N-MOS 200V 44A 330W<0.055R(31A). HEXFET Power MOSFET. SMPS. High frequency DC-DC converters. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 31 A

Transistor MOSFET canal-N IRFB42N20DPBF

Transistor MOSFET canal-N 100V 97A/390Ap 230W. Résistance passante RDSon : 0.07 Ohms (69A)

Transistor MOSFET canal-N IRFB4310PBF

Transistor MOSFET canal-N 100V 130A/550Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.0056 Ohms (92A)

Transistor IRFB4710

Transistor IRFB4710 N-MOS 100V 75A 200W<0.014R(53A. HEXFET Power MOSFET. High freqvency DC-DC convertes. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 53 A.

Transistor IRFB52N15D

Transistor IRFB52N15D N-MOS 150V 51A 230W<0.032R(36A). HEXFET Power MOSFET. High frequency DC-DC converters. Plasma Display Pa. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 51 A.

Transistor MOSFET canal-N IRFB5615PBF

Transistor MOSFET canal-N 150V 35A/140Ap 144W. Résistance passante RDSon : 0.032 Ohms

Transistor IRFB9N60A

Transistor IRFB9N60A N-MOS 600V 9.2A 170W 0.75R (5.8A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.8 A.

Transistor IRFB9N65A

Transistor IRFB9N65A N-MOS 650V 8.5A 167W 0.93R (5.4A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.4 A.

Transistor IRFBC30

Transistor IRFBC30 N-MOS 600V 3.6A 75W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A. Rds (Ohms): 2.2.

Transistor IRFBC30A

Transistor IRFBC30A N-MOS 600V 3.6A 74W<2.2R(2.3A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.3 A.

Transistor IRFBC40

Transistor IRFBC40 N-MOS 600V 6.2A 125W<1.2R(3.9A. HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 1.2.

Transistor IRFBE30

Transistor IRFBE30 N-MOS 800V 4.1A 125W <3R(2.6A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dv/dt Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.6 A. Rds (Ohms): 3.

Aide

Renseignements

Boutique

Mon compte

Restons en contact